芯片失效分析_FIB电路修改_ESD测试

当芯片设计遭遇瓶颈，当复杂故障难以定位，您需要的不再是常规检测，而是能够深入芯片内部进行“精准手术”和“深度诊断”的高端技术。斯柯得检测实验室，凭借聚焦离子束（FIB）等jianduan设备，集深度失效分析、精准电路修改与静电防护验证于一体，为您提供从故障定位、设计验证到可靠性提升的全方位高端技术服务。

核心服务一：专业芯片失效分析 —— 直达病灶的“芯片神探”

我们致力于解决Zui棘手的芯片故障，揭示深层次失效机理。

• 技术手段：

• 电性定位： 利用微探针台、EMMI/OBIRCH等精准定位漏电、短路等故障点。

• 物理分析： 采用SEM、EDS、FIB进行形貌观察、成分分析及截面剖析。

• 去层分析： 逐层剥离，直达失效发生的物理层面，直观呈现缺陷。

• 解决难题： 解决诸如栅氧击穿、金属迁移、接触孔异常、闩锁效应等复杂失效问题。

核心服务二：FIB电路修改 —— 精准高效的“芯片手术刀”

聚焦离子束（FIB）技术是我们为您提供的核心利器，无需重新流片，即可实现对芯片电路的精准修改与验证。

• 应用场景：

• 设计验证： 在芯片上切断或连接特定线路，验证设计猜想，大幅缩短研发周期，节省高昂的流片成本。

• 样品修复： 对功能异常的样品进行临时修复，使其恢复基本功能，支撑软件调试或客户演示。

• 探针垫片制作： 在微小电路节点上制作探针点，便于电性测试信号提取。

• 核心价值： 为您节省数百万的流片费用与数月的项目时间，是芯片设计公司ue的研发伙伴。

核心服务三：ESD测试 —— 构建静电防护的“坚固盾牌”

静电放电是芯片隐形杀手。我们提供全面的ESD测试，评估并提升您的芯片抗静电能力。

• 测试标准：

• 人体模型： 遵循JESD22-A114、MIL-STD-883等标准。

• 机器模型： 遵循JESD22-A115等标准。

• 充电器件模型： 遵循JESD22-C101、AEC-等标准。

• 服务内容： 测试前后功能参数对比，进行失效等级判定，并对失效样品提供失效分析服务，帮助您定位ESD防护设计的薄弱环节。

斯柯得检测的独特优势：技术闭环，深度服务

当ESD测试失败后，我们可立即利用失效分析技术定位损伤点，并可通过FIB技术进行截面分析，直观呈现击穿形貌。 这种“测试-分析-修改验证”的技术闭环，能为您提供从问题发现、根因分析到设计迭代的全流程、深度技术支持。

为什么选择我们？

• jianduan设备： 拥有高精度双束FIB系统、全套失效分析设备及ESD测试系统。

• zishen团队： 工程师具备多年实战经验，能处理各类复杂技术挑战。

• 严格保密： 建立完善的客户知识产权保护体系，确保您的设计安全。

• 高效协作： 提供快速的技术响应与项目对接，与您的研发节奏同步。

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